1.負(fù)責(zé)鍍膜(APCVD/LPCVD/CVD/ALD/PECVD)工藝開發(fā)及優(yōu)化,提升CVD制程能力和品質(zhì).
2.分析處理與薄膜相關(guān)的工藝異常,器件失效,成品率提升等
3.負(fù)責(zé)對應(yīng)CVD新機(jī)臺(tái),新工藝、新技術(shù)和新產(chǎn)品驗(yàn)證,為項(xiàng)目提供技術(shù)支持并進(jìn)行DOE評估驗(yàn)證.
4. 面向未來研究半導(dǎo)體薄膜新材料,納米鍍膜新工藝,低維材料性能新表征
任職要求:
1.碩士或博士學(xué)歷,無機(jī)材料鍍膜,納米制造技術(shù), 物理,固體電子學(xué),熱處理,晶體結(jié)晶與力學(xué),低溫等離子體,微流體,射頻電源,傳熱學(xué)等專業(yè)方向優(yōu)先
2.有3年以上Array CVD工作經(jīng)驗(yàn),具備PECVD、SiN、SiO等相關(guān)工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn);
3.熟悉AKT CVD設(shè)備和工藝原理,能處理設(shè)備和工藝異常,能獨(dú)立分析調(diào)整膜質(zhì)并達(dá)到器件要求, 會(huì)使用office工具和minitab進(jìn)行數(shù)據(jù)分析,撰寫分析總結(jié)報(bào)告;誠實(shí)嚴(yán)謹(jǐn),能吃苦耐勞,具有極強(qiáng)的敬業(yè)精神和責(zé)任心
4.具有高校/研究所完整縱向課題經(jīng)驗(yàn)者可放寬學(xué)歷要求; 有半導(dǎo)體行業(yè),面板企業(yè) FAB 經(jīng)驗(yàn)者可放寬學(xué)歷要求
5.熟悉CVD(APCVD, PECVD TFE)工藝開發(fā)流程,具備良好的工藝recipe開發(fā)能力,能夠針對性地編寫沉積recipe;特別是熟悉 SiON, SiO2 以及 SiNx 的工藝條件,具備獨(dú)立開發(fā)相應(yīng) recipe 的能力更優(yōu)先考慮,可以放寬條件。
流利的英文讀寫,交流。