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更新于 9月24日

SOC設(shè)計(jì)工程師

4-7萬
  • 北京通州區(qū)
  • 5-10年
  • 碩士
  • 全職
  • 招1人

職位描述

存儲(chǔ)芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)數(shù)字前端設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算
崗位職責(zé):
1、負(fù)責(zé)調(diào)研分析AI芯片的應(yīng)用場(chǎng)景;
2、負(fù)責(zé)根據(jù)系統(tǒng)需求制定硬件設(shè)計(jì)架構(gòu);
3、負(fù)責(zé)定義芯片的控制流和數(shù)據(jù)流,分析不同workload下的硬件性能和利用率。
任職要求:
1、計(jì)算機(jī)、電子工程、微電子及相關(guān)專業(yè)碩士畢業(yè),博士?jī)?yōu)先;
2、5年以上前端設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),具有AI架構(gòu)軟硬件聯(lián)合設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)并成功流片;
3、具有內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。

工作地點(diǎn)

北京通州區(qū)京東貝科技園(西南門)

職位發(fā)布者

王雅璇/HR

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公司Logo北京超弦存儲(chǔ)器研究院
北京超弦存儲(chǔ)器研究院于2020年9月在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)成立。作為產(chǎn)學(xué)研合作平臺(tái),研究院聚焦國際先進(jìn)的存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)和高端人才培養(yǎng),致力于實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片制造技術(shù)的持續(xù)迭代,努力成長(zhǎng)為世界存儲(chǔ)器芯片的技術(shù)創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術(shù)的尺寸微縮,在DRAM新架構(gòu)、新材料、新工藝、先進(jìn)封裝、先進(jìn)光刻技術(shù)、近存計(jì)算和高帶寬存儲(chǔ)等領(lǐng)域,對(duì)未來DRAM量產(chǎn)技術(shù)可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設(shè)計(jì)-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項(xiàng)目包括4F2垂直圍柵晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器、銦鎵鋅氧場(chǎng)效應(yīng)晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器、橫向堆疊單元存儲(chǔ)器、垂直圍柵晶體管磁存儲(chǔ)器等基于新器件結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器制造技術(shù);基于混合鍵合技術(shù)的高帶寬存儲(chǔ)器芯片和近存計(jì)算、存內(nèi)計(jì)算等芯片的設(shè)計(jì)和制造;以及先進(jìn)DRAM制造中的關(guān)鍵光刻技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)方法學(xué)研究等。研究院擁有12英寸先進(jìn)DRAM研發(fā)所需的硬件條件,包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎(chǔ)工藝和一系列由特種裝備構(gòu)成的短流程特色工藝;設(shè)計(jì)制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺(tái);以及具有豐富的芯片工藝和設(shè)計(jì)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。研究院與清華大學(xué)、北京大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所等國內(nèi)外領(lǐng)先的高校院所和集成電路行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系,開展基于項(xiàng)目的研發(fā)合作。同時(shí),研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作,為產(chǎn)業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實(shí)訓(xùn)平臺(tái)。
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