職位描述
射頻電路設計放大器芯片基站電子/半導體/集成電路
崗位內容：
1. 設計、開發(fā)和優(yōu)化MMIC PA、LNA；
2. 負責跟蹤流片進展；
3. 實施和執(zhí)行測試計劃，包括調試，驗證和評估測試結果；
4. 相關技術文檔的撰寫，歸檔；
任職要求：
1.碩士及以上學歷，具備扎實的MMIC專業(yè)知識和豐富的工程經驗；（有流片經驗的本科可降低學歷要求）
2.熟悉III-V族化合物半導體工藝，以及微波毫米波LNA/PA等MMIC設計；
3.設計的PA/LNA至少有2款產品投入量產；
4.能夠對流片后的MMIC進行測試以及問題分析； 5.對常見的射頻器件有一定的了解
6.具體薪資面議
工作地點
北京市海淀區(qū)中關村北二條
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