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崗位職責： 1.負責BCD工藝平臺的開發(fā)，制定工藝參數(shù)規(guī)范，完成開發(fā)目標； 2.負責和模組溝通對BCD平臺相關(guān)工藝進行優(yōu)化以改善工藝窗口； 3.設(shè)計工藝實驗（DOE），優(yōu)化關(guān)鍵工藝模塊（如高壓DMOS/LDMOS/VDMOS、CMOS、Bipolar、隔離技術(shù)、互連、鈍化等）的性能。 4.解決工藝開發(fā)過程中遇到的技術(shù)難題和挑戰(zhàn)（如高壓擊穿、熱載流子效應(yīng)、閂鎖效應(yīng)、可靠性失效等）； 5.負責客戶新產(chǎn)品新工藝的導(dǎo)入與開發(fā)； 6.平臺技術(shù)開發(fā)相關(guān)的在線lot處理工作； 7.負責WAT測試程式建立，數(shù)據(jù)分析和DOE實驗設(shè)計； 8.負責器件性能優(yōu)化，SRAM良率提升，可靠性驗證等分析工作。 9.負責量產(chǎn)工藝和產(chǎn)品的工藝轉(zhuǎn)移、資料交接和后期技術(shù)支持； 任職要求： 學(xué)歷要求： 本科及以上學(xué)歷，電子信息、微電子、物理、材料等理工科相關(guān)專業(yè)，具有半導(dǎo)體物理及器件物理、集成電路制造等相關(guān)知識儲備； 工作經(jīng)驗： BCD相關(guān)工藝研發(fā)或工藝整合經(jīng)驗5年及以上（本科）或3年及以上（碩士），有12吋經(jīng)驗優(yōu)先； 專業(yè)技能： 1.熟悉BCD工藝流程； 2.熟悉BCD器件結(jié)構(gòu)和具備較強的器件開發(fā)、器件測試和數(shù)據(jù)整理能力； 3.熟悉BCD工藝常見可靠性項目； 4.熟練掌握項目管理工具與方法，具備出色的團隊協(xié)作精神與溝通能力； 5.有180nm及以下節(jié)點BCD相關(guān)工藝 TD或PIE經(jīng)驗者優(yōu)先。 語言能力： 具備良好的英語聽說寫能力；