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招聘崗位：失效分析科長(zhǎng)（IGBT， MOSFET， SiC）
崗位職責(zé)：
1、主導(dǎo)失效分析項(xiàng)目： 負(fù)責(zé)從現(xiàn)場(chǎng)返回或生產(chǎn)線上的失效分析工作，制定分析計(jì)劃，執(zhí)行分析流程，并撰寫詳細(xì)的失效分析報(bào)告。
2、深度技術(shù)分析： 運(yùn)用各種工具（如示波器、X-Ray、SEM/EDS、曲線追蹤儀等）對(duì)失效件進(jìn)行電氣性能、物理和化學(xué)分析，確定失效位置和失效模式（如過(guò)壓擊穿、過(guò)熱、鍵合線脫落等）。
3、根因調(diào)查： 運(yùn)用5 Why、故障樹(shù)（FTA）、魚(yú)骨圖等分析方法，深入探究失效的根本原因，區(qū)分是設(shè)計(jì)缺陷、元器件問(wèn)題、制造工藝問(wèn)題、應(yīng)用誤用還是其他原因。
4、跨部門協(xié)作： 與研發(fā)、設(shè)計(jì)、工藝、采購(gòu)和質(zhì)量團(tuán)隊(duì)緊密合作，匯報(bào)分析發(fā)現(xiàn)，并提供明確、可執(zhí)行的設(shè)計(jì)改進(jìn)和預(yù)防措施建議。
5、推動(dòng)問(wèn)題解決： 參與8D團(tuán)隊(duì)，提供技術(shù)證據(jù)和支持，跟蹤糾正措施的落實(shí)情況，并驗(yàn)證其有效性。
6、能力建設(shè)： 開(kāi)發(fā)和優(yōu)化失效分析流程、標(biāo)準(zhǔn)和方法。分享知識(shí)，培訓(xùn)初級(jí)工程師。失效分析實(shí)驗(yàn)室的規(guī)劃和搭建
7、供應(yīng)商管理： 與半導(dǎo)體元器件供應(yīng)商進(jìn)行技術(shù)對(duì)接，對(duì)其提供的失效分析報(bào)告進(jìn)行審核和質(zhì)疑。
崗位要求：
1、本科及以上學(xué)歷，電力電子、電氣工程、微電子、材料科學(xué)或相關(guān)專業(yè)。
2、3年以上深厚的電力電子技術(shù)基礎(chǔ)，精通各種功率半導(dǎo)體器件（IGBT， MOSFET， SiC，）的工作原理和失效機(jī)理。
3、豐富的動(dòng)手操作經(jīng)驗(yàn)，能熟練使用高壓差分探頭、電流探頭 進(jìn)行功率電路波形測(cè)量和分析，這是核心技能。
4、熟悉至少一種高級(jí)分析設(shè)備的使用和結(jié)果判讀（如X-Ray， 超聲掃描， 顯微鏡解密）。
5、具備強(qiáng)大的邏輯分析、問(wèn)題解決和根因分析能力，思維縝密，注重細(xì)節(jié)。
6、優(yōu)秀的書(shū)面和口頭溝通能力，能夠撰寫清晰專業(yè)的技術(shù)報(bào)告。
7、英語(yǔ)/日語(yǔ)可作為工作語(yǔ)言。
優(yōu)先考慮條件：
有使用掃描電鏡。
有功率模塊封裝工藝（如引線鍵合、芯片貼裝、灌封）相關(guān)知識(shí)。
熟悉FMEA、8D等質(zhì)量工具。