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招聘崗位：失效分析科長（IGBT， MOSFET， SiC）
崗位職責：
1、主導失效分析項目： 負責從現(xiàn)場返回或生產線上的失效分析工作，制定分析計劃，執(zhí)行分析流程，并撰寫詳細的失效分析報告。
2、深度技術分析： 運用各種工具（如示波器、X-Ray、SEM/EDS、曲線追蹤儀等）對失效件進行電氣性能、物理和化學分析，確定失效位置和失效模式（如過壓擊穿、過熱、鍵合線脫落等）。
3、根因調查： 運用5 Why、故障樹（FTA）、魚骨圖等分析方法，深入探究失效的根本原因，區(qū)分是設計缺陷、元器件問題、制造工藝問題、應用誤用還是其他原因。
4、跨部門協(xié)作： 與研發(fā)、設計、工藝、采購和質量團隊緊密合作，匯報分析發(fā)現(xiàn)，并提供明確、可執(zhí)行的設計改進和預防措施建議。
5、推動問題解決： 參與8D團隊，提供技術證據(jù)和支持，跟蹤糾正措施的落實情況，并驗證其有效性。
6、能力建設： 開發(fā)和優(yōu)化失效分析流程、標準和方法。分享知識，培訓初級工程師。失效分析實驗室的規(guī)劃和搭建
7、供應商管理： 與半導體元器件供應商進行技術對接，對其提供的失效分析報告進行審核和質疑。
崗位要求：
1、本科及以上學歷，電力電子、電氣工程、微電子、材料科學或相關專業(yè)。
2、3年以上深厚的電力電子技術基礎，精通各種功率半導體器件（IGBT， MOSFET， SiC，）的工作原理和失效機理。
3、豐富的動手操作經(jīng)驗，能熟練使用高壓差分探頭、電流探頭 進行功率電路波形測量和分析，這是核心技能。
4、熟悉至少一種高級分析設備的使用和結果判讀（如X-Ray， 超聲掃描， 顯微鏡解密）。
5、具備強大的邏輯分析、問題解決和根因分析能力，思維縝密，注重細節(jié)。
6、優(yōu)秀的書面和口頭溝通能力，能夠撰寫清晰專業(yè)的技術報告。
7、英語/日語可作為工作語言。
優(yōu)先考慮條件：
有使用掃描電鏡。
有功率模塊封裝工藝（如引線鍵合、芯片貼裝、灌封）相關知識。
熟悉FMEA、8D等質量工具。