崗位職責(zé)
1. 負(fù)責(zé)干法刻蝕(RIE、ICP-RIE、IBE等)設(shè)備的日常維護(hù)、工藝調(diào)試及優(yōu)化,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 制定并優(yōu)化干法刻蝕工藝方案,提高刻蝕速率、均勻性、選擇比等關(guān)鍵指標(biāo)。
3. 分析刻蝕過(guò)程中的問(wèn)題(如側(cè)壁形貌、殘留物、負(fù)載效應(yīng)等),并提出解決方案。
4. 配合研發(fā)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行新材料、新結(jié)構(gòu)的刻蝕工藝開(kāi)發(fā),滿(mǎn)足產(chǎn)品需求。
5. 編寫(xiě)工藝文件、操作規(guī)范,并對(duì)相關(guān)人員進(jìn)行培訓(xùn)。
6. 跟蹤行業(yè)先進(jìn)技術(shù),推動(dòng)干法刻蝕工藝的持續(xù)改進(jìn)和創(chuàng)新。
任職要求
1. 學(xué)歷要求:本科及以上學(xué)歷,微電子、材料科學(xué)、物理、化學(xué)工程等相關(guān)專(zhuān)業(yè)。
2. 工作經(jīng)驗(yàn):
3年以上干法刻蝕工藝開(kāi)發(fā)或設(shè)備維護(hù)經(jīng)驗(yàn),熟悉RIE、ICP-RIE、IBE等干法刻蝕設(shè)備。
熟悉Si、SiO?、Si?N?、金屬(Al、Cu、Au、Ti、Cr、W等)、化合物半導(dǎo)體(GaAs、GaN等)及TSV通孔刻蝕工藝。
3. 技能要求:
熟悉干法刻蝕原理及工藝參數(shù)(氣體流量、功率、壓力、偏置電壓等)對(duì)刻蝕效果的影響。
能夠獨(dú)立進(jìn)行DOE(實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì))和數(shù)據(jù)分析,優(yōu)化刻蝕工藝。
具備故障排查能力,能解決刻蝕過(guò)程中的異常問(wèn)題(如微負(fù)載效應(yīng)、刻蝕殘留等)。
能分析刻蝕后的表面形貌和關(guān)鍵尺寸。
4. 優(yōu)先考慮:
有半導(dǎo)體制造、MEMS、LED、功率器件等領(lǐng)域干法刻蝕經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
5. 個(gè)人素質(zhì):
良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力和溝通能力,能適應(yīng)跨部門(mén)合作。
責(zé)任心強(qiáng),具備較強(qiáng)的分析和解決問(wèn)題的能力。