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更新于 9月5日

助理工藝工程師

6000-8000元·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 經(jīng)驗(yàn)不限
  • 本科
  • 全職
  • 招10人

職位描述

光刻工藝蝕刻工藝離子注入工藝磁控濺射工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
一、崗位職責(zé)
1. 參與日常值班,解決線(xiàn)上的異常問(wèn)題, 創(chuàng)建升級(jí)工藝相關(guān)的SOP/OI/SPC/FMEA;
2. 負(fù)責(zé)工藝的維護(hù)及改進(jìn),日常recipe的建立及維護(hù);減少工藝缺陷,優(yōu)化工藝條件,改善CP/CPK,提升良率;
3. 負(fù)責(zé)新設(shè)備、工藝、材料的開(kāi)發(fā)、調(diào)試、評(píng)估及認(rèn)證;參與各項(xiàng)改善活動(dòng),提出及執(zhí)行降本項(xiàng)目,提升工藝產(chǎn)能。
二、任職要求
1. 本科, 物理/微電子相關(guān)專(zhuān)業(yè);
2. 細(xì)心、 責(zé)任心強(qiáng),有一定抗壓能力。

獎(jiǎng)金績(jī)效

13薪

工作地點(diǎn)

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微項(xiàng)目中電二公司項(xiàng)目部

職位發(fā)布者

葉先生/招聘專(zhuān)員

昨日活躍
立即溝通
公司Logo浙江廣芯微電子有限公司
廣芯微電子公司建設(shè)項(xiàng)目分為二期進(jìn)行,計(jì)劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬(wàn)余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬(wàn)余平方米,主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級(jí)結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬(wàn)片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬(wàn)片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿(mǎn)足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬(wàn)片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿(mǎn)足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求,預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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