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擴散工藝工程師

1-2萬·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 5-10年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

電子/半導(dǎo)體/集成電路
職責(zé)描述:
1、及時解決負責(zé)工藝的異常問題,維護生產(chǎn)線正常運行;
2、創(chuàng)建及優(yōu)化SOP/RE/SP/FMEA/CP等文件;
3、負責(zé)內(nèi)容的工藝維護及改進,日常recipe的建立及維護;
4、新設(shè)備、新工藝、新材料的開發(fā)、調(diào)試、評估及認證 ;
5、工藝變更的提出、評估和執(zhí)行;
6、參與各項持續(xù)改善活動,節(jié)能降耗項目的提出及執(zhí)行;
7、協(xié)助對作業(yè)員的培訓(xùn)和認證。
任職要求:
1、本科及以上學(xué)歷,微電子、半導(dǎo)體器件、電子材料與元器件等相關(guān)專業(yè);
2、5年以上6寸硅基爐管工藝工作經(jīng)驗;
3、熟悉并了解TS/ISO等質(zhì)量體系知識及要求;
4、溝通能力良好,細心與責(zé)任心強,性格開朗,有一定抗壓能力。

工作地點

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司

職位發(fā)布者

徐曉紅/人事經(jīng)理

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公司Logo浙江廣芯微電子有限公司
廣芯微電子公司建設(shè)項目分為二期進行,計劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米,主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求,預(yù)計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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