職位描述
SEM電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé)：
1、負(fù)責(zé)產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)中出現(xiàn)的失效分析及良率異常品的分析；主流測(cè)試設(shè)備的操作與維護(hù)；
2、客戶送檢的樣品分析；提供失效分析培訓(xùn)與失效分析技術(shù)支持；
3、負(fù)責(zé)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備儀器的日常維護(hù)和保養(yǎng)；
1、負(fù)責(zé)產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)中出現(xiàn)的失效分析及良率異常品的分析；主流測(cè)試設(shè)備的操作與維護(hù)；
2、客戶送檢的樣品分析；提供失效分析培訓(xùn)與失效分析技術(shù)支持；
3、負(fù)責(zé)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備儀器的日常維護(hù)和保養(yǎng)；
4、實(shí)驗(yàn)室人員、設(shè)備等日常管理；
5、工程師培養(yǎng)、考核；
6、負(fù)責(zé)環(huán)境安全與設(shè)備儀器相關(guān)的文件制定、制定分析方法并編制分析作業(yè)指導(dǎo)書。
崗位要求：
1、大專及以上學(xué)歷；5年以上IC失效分析經(jīng)驗(yàn)；熟悉失效分析流程；有失敗模式照片；
2、熟練使用SEM、XRM、FIB設(shè)備；具備主流設(shè)備的操作與維護(hù)經(jīng)驗(yàn)；
3、擅長(zhǎng)失效分析，具有敏感度，對(duì)于一般異常原因能快速判斷；失效分析經(jīng)驗(yàn)豐富；
4、責(zé)任心強(qiáng)，有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神，技術(shù)能力強(qiáng)，學(xué)習(xí)能力強(qiáng)；能承受一定的壓力；
6、負(fù)責(zé)環(huán)境安全與設(shè)備儀器相關(guān)的文件制定、制定分析方法并編制分析作業(yè)指導(dǎo)書。
崗位要求：
1、大專及以上學(xué)歷；5年以上IC失效分析經(jīng)驗(yàn)；熟悉失效分析流程；有失敗模式照片；
2、熟練使用SEM、XRM、FIB設(shè)備；具備主流設(shè)備的操作與維護(hù)經(jīng)驗(yàn)；
3、擅長(zhǎng)失效分析，具有敏感度，對(duì)于一般異常原因能快速判斷；失效分析經(jīng)驗(yàn)豐富；
4、責(zé)任心強(qiáng)，有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神，技術(shù)能力強(qiáng)，學(xué)習(xí)能力強(qiáng)；能承受一定的壓力；
工作地點(diǎn)
麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司
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職位發(fā)布者
葉先生/招聘專員
昨日活躍立即溝通
浙江廣芯微電子有限公司廣芯微電子公司建設(shè)項(xiàng)目分為二期進(jìn)行，計(jì)劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級(jí)結(jié)（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力，以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。
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