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QE

8000-15000元·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 3-5年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

QC七大手法8D報告五大工具5M1E分析法六西格瑪PDCA5why電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé)
1.對產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的各個環(huán)節(jié)進(jìn)行監(jiān)督和檢查,負(fù)責(zé)生產(chǎn)過程中的異常分析及解決。
2.負(fù)責(zé)主導(dǎo)不合格品的評審和處置。
3.對質(zhì)量問題進(jìn)行處理和解決,確保問題發(fā)生和流出的根本原因被有效識別,確保對策的有效性,防止相同和類似問題再次發(fā)生。
4.協(xié)助處理客戶投訴。
5.組織進(jìn)行質(zhì)量分析和質(zhì)量持續(xù)改進(jìn)活動。
任職資格
1.具有良好的學(xué)習(xí)能力,對未知領(lǐng)域有很強(qiáng)的好奇心,抗壓能力強(qiáng)。
2.具有較強(qiáng)的發(fā)現(xiàn)、分析和處理問題的能力,有報告編寫及匯報能力。
3.工作細(xì)心,較強(qiáng)的溝通能力和團(tuán)隊(duì)合作精神。
4.工作客觀嚴(yán)謹(jǐn),原則性清晰,有親和力。

工作地點(diǎn)

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司

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廣芯微電子公司建設(shè)項(xiàng)目分為二期進(jìn)行,計劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米,主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求,預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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