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更新于 7月25日

TD 芯片新技術(shù)開發(fā)經(jīng)理(J10597)

3-6萬·15薪
  • 武漢江夏區(qū)
  • 5-10年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

器件設(shè)計SIC
崗位職責(zé):
1.根據(jù)國際前沿技術(shù)和市場熱點,負(fù)責(zé)SiC SJ/Trench研發(fā)方向制定;
2.根據(jù)公司產(chǎn)品路譜和發(fā)展需求,負(fù)責(zé)SiC SJ/Trench產(chǎn)品開發(fā);
3.負(fù)責(zé)SiC SJ/Trench產(chǎn)品IP建設(shè),結(jié)構(gòu)、版圖設(shè)計,負(fù)責(zé)參數(shù)仿真和可靠性設(shè)計;
4.負(fù)責(zé)SiC SJ/Trench Mos 工藝流程設(shè)計,配合Fab拉通工藝;
5.負(fù)責(zé)內(nèi)外部研發(fā)項目申報,執(zhí)行,結(jié)項工作。
任職要求:
1.學(xué)歷、專業(yè):碩士及以上學(xué)歷,電子、通信、微電子、物理等專業(yè)背景;
2.工作經(jīng)驗:碩士6年以上,本科10年以上相關(guān)經(jīng)驗,對SJ/Trench國際前沿技術(shù)有深入的了解和研究,具有創(chuàng)造性思維;
3.專業(yè)知識及技能:掌握功率器件IGBT、MOS、Diode等器件結(jié)構(gòu)原理,并有較深理解,掌握TCAD和版圖相關(guān)工具,高壓器件經(jīng)驗最優(yōu);
4.通用能力及素質(zhì):良好的溝通協(xié)調(diào)能力和書面表達(dá)能力,良好文獻(xiàn)檢索能力,較強(qiáng)的分析和解決問題能力;
5.語言要求:良好的英語讀、寫能力,CET6及以上。

工作地點

江夏區(qū)武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)(長飛先進(jìn)半導(dǎo)體)

職位發(fā)布者

方松/人事經(jīng)理

昨日活躍
立即溝通
公司Logo長飛先進(jìn)半導(dǎo)體(武漢)有限公司
長飛先進(jìn)是一家專注于碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造的企業(yè),具備從外延生長、器件與模塊設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。公司擁有國內(nèi)一流的6英寸產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng),可提供從工業(yè)級到車規(guī)級的SiC SBD、MOSFET全系列產(chǎn)品,廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
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