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更新于 2025-09-06 01:20:34

研發(fā)經(jīng)理

3-6萬·13薪
  • 麗水蓮都區(qū)
  • 5-10年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

芯片元器件功率器件
【工作內(nèi)容】
- 組織新產(chǎn)品導入工作,協(xié)調(diào)跨部門資源,確保產(chǎn)品順利進入量產(chǎn)階段;
- 推動新設(shè)備、新工藝及新材料的應用與推廣,提升產(chǎn)品性能與生產(chǎn)效率;
- 負責設(shè)計規(guī)則的制定與更新,保障產(chǎn)品設(shè)計符合行業(yè)標準與技術(shù)規(guī)范;
- 組織對外技術(shù)交流活動,拓展技術(shù)合作渠道,提升企業(yè)技術(shù)影響力。
【任職要求】
- 5年以上功率器件研發(fā)或產(chǎn)品管理相關(guān)工作經(jīng)驗,具備扎實的半導體器件原理與制程工藝知識;
- 熟悉TS/ISO等質(zhì)量管理體系,了解功率器件的工藝流程與質(zhì)量控制要點;
- 熟練操作辦公自動化軟件(如Word、Excel、PPT等),具備良好的數(shù)據(jù)分析與文檔編寫能力;
- 具備較強的溝通協(xié)調(diào)能力與項目管理意識,能夠獨立推動項目落地與技術(shù)推廣。

工作地點

麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司

職位發(fā)布者

葉先生/招聘專員

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公司Logo浙江廣芯微電子有限公司
廣芯微電子公司建設(shè)項目分為二期進行,計劃總投資約30億元,總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設(shè)施占地3萬余平方米,主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導體器件,包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設(shè)施占地1.4萬余平方米,主要面向第三代半導體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件,包含中低壓分立柵(Split-gate Trench MOS)、超級結(jié)(CoolMOS)、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,將實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力,以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求,預計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元,稅收1.1億元,工業(yè)增加值7.3億元,新增就業(yè)960余人。
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