職位描述
半導體芯片電子/半導體/集成電路
崗位職責：
1.負責對產品實行技術評估，規(guī)范工藝流程，制定技術標準。
2.負責部門內部產品的設計，制版，工藝流程，CP測試規(guī)范等。
3.負責產品的CP參數分析，產品缺陷的搜尋改善，良率提升。
4.負責新技術引進和新產品的開發(fā)工作計劃，實施，驗證。
任職資格 ：
1.本科或更高學位，微電子相關專業(yè)。
2.扎實的半導體器件物理知識。
3.熟悉并掌握半導體制造工藝開發(fā)及失效分析的相關方法及DOE，FMEA，APQP等工具
4.有FAB PIE和TD經驗優(yōu)先，有MOSFET產品開發(fā)經驗優(yōu)先
1.負責對產品實行技術評估，規(guī)范工藝流程，制定技術標準。
2.負責部門內部產品的設計，制版，工藝流程，CP測試規(guī)范等。
3.負責產品的CP參數分析，產品缺陷的搜尋改善，良率提升。
4.負責新技術引進和新產品的開發(fā)工作計劃，實施，驗證。
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2.扎實的半導體器件物理知識。
3.熟悉并掌握半導體制造工藝開發(fā)及失效分析的相關方法及DOE，FMEA，APQP等工具
4.有FAB PIE和TD經驗優(yōu)先，有MOSFET產品開發(fā)經驗優(yōu)先
工作地點
麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司
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職位發(fā)布者
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浙江廣芯微電子有限公司廣芯微電子公司建設項目分為二期進行，計劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠房及配套設施占地3萬余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠房及配套設施占地1.4萬余平方米，主要面向第三代半導體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級結（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設全部完成投產后，將實現年產折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導體晶圓及年產3.6萬片第三代半導體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求。項目建成達產后可形成年產240萬片6英寸高端特色硅基晶圓的生產能力，以滿足我國面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對功率半導體分立器件、電源管理芯片的需求，預計達產后可實現年營業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營業(yè)利潤2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。
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