職位描述
半導(dǎo)體芯片電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé)：
1.負(fù)責(zé)對(duì)產(chǎn)品實(shí)行技術(shù)評(píng)估，規(guī)范工藝流程，制定技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
2.負(fù)責(zé)部門(mén)內(nèi)部產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，制版，工藝流程，CP測(cè)試規(guī)范等。
3.負(fù)責(zé)產(chǎn)品的CP參數(shù)分析，產(chǎn)品缺陷的搜尋改善，良率提升。
4.負(fù)責(zé)新技術(shù)引進(jìn)和新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作計(jì)劃，實(shí)施，驗(yàn)證。
任職資格 ：
1.本科或更高學(xué)位，微電子相關(guān)專(zhuān)業(yè)。
2.扎實(shí)的半導(dǎo)體器件物理知識(shí)。
3.熟悉并掌握半導(dǎo)體制造工藝開(kāi)發(fā)及失效分析的相關(guān)方法及DOE，F(xiàn)MEA，APQP等工具
4.有FAB PIE和TD經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先，有MOSFET產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先
1.負(fù)責(zé)對(duì)產(chǎn)品實(shí)行技術(shù)評(píng)估，規(guī)范工藝流程，制定技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
2.負(fù)責(zé)部門(mén)內(nèi)部產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，制版，工藝流程，CP測(cè)試規(guī)范等。
3.負(fù)責(zé)產(chǎn)品的CP參數(shù)分析，產(chǎn)品缺陷的搜尋改善，良率提升。
4.負(fù)責(zé)新技術(shù)引進(jìn)和新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作計(jì)劃，實(shí)施，驗(yàn)證。
任職資格 ：
1.本科或更高學(xué)位，微電子相關(guān)專(zhuān)業(yè)。
2.扎實(shí)的半導(dǎo)體器件物理知識(shí)。
3.熟悉并掌握半導(dǎo)體制造工藝開(kāi)發(fā)及失效分析的相關(guān)方法及DOE，F(xiàn)MEA，APQP等工具
4.有FAB PIE和TD經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先，有MOSFET產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先
工作地點(diǎn)
麗水蓮都區(qū)浙江廣芯微電子有限公司
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職位發(fā)布者
葉先生/招聘專(zhuān)員
昨日活躍立即溝通
浙江廣芯微電子有限公司廣芯微電子公司建設(shè)項(xiàng)目分為二期進(jìn)行，計(jì)劃總投資約30億元，總占地面積148畝。一期新建廠(chǎng)房及配套設(shè)施占地3萬(wàn)余平方米，主要面向6英寸特色工藝高端硅基功率半導(dǎo)體器件，包含IGBT、TMBS等。二期新建廠(chǎng)房及配套設(shè)施占地1.4萬(wàn)余平方米，主要面向第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵功率器件及8英寸特色工藝高端硅基功率器件，包含中低壓分立柵（Split-gate Trench MOS）、超級(jí)結(jié)（CoolMOS）、高壓BCD工藝等。二期建設(shè)全部完成投產(chǎn)后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬(wàn)片特色工藝硅基功率半導(dǎo)體晶圓及年產(chǎn)3.6萬(wàn)片第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵晶圓。從而滿(mǎn)足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)240萬(wàn)片6英寸高端特色硅基晶圓的生產(chǎn)能力，以滿(mǎn)足我國(guó)面向能源革命、高壓軌道交通及特高壓電力系統(tǒng)等對(duì)功率半導(dǎo)體分立器件、電源管理芯片的需求，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入28.5億元、稅收1.1億元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)2.8億元，稅收1.1億元，工業(yè)增加值7.3億元，新增就業(yè)960余人。
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